Правовая библиотека


Приказ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796"О контроле за экспортом товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники"

Архив

Страница: 14 из 61

                   либо путем сложения или  вычитания
                   частот с двух или более  кварцевых
                   генераторов, либо  путем  сложения
                   или   вычитания    с   последующим
                   умножением результирующей частоты
 (примечания в ред. Приказа ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


                   Техническое примечание.
                   Генераторы импульсов  произвольной
                   формы и генераторы функций  обычно
                   определяются    частотой   выборки
                   (например,    Гвыб./с),    которая
                   преобразовывается в радиочастотную
                   область  посредством  коэффициента
                   Найквиста  -  2.  Так,  1  Гвыб./с
                   произвольных    импульсов    имеет
                   возможность прямого вывода 500 МГц
                   или при  использовании  выборки  с
                   запасом по  частоте  дискретизации
                   максимальная  возможность  прямого
                   вывода пропорционально ниже
 (техническое примечание в ред. Приказа ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


 3.1.2.5.          Схемные анализаторы    (панорамные  9030 40 000 0
                   измерители  полных  сопротивлений;
                   измерители    амплитуды,   фазы  и
                   групповой  задержки  двух сигналов
                   относительно  опорного  сигнала) с
                   максимальной    рабочей  частотой,
                   превышающей 43,5 ГГц;


 3.1.2.6.          Микроволновые   приемники-тестеры,  8517 69 390 0
                   имеющие       все        следующие
                   характеристики:
                   а) максимальную  рабочую  частоту,
                   превышающую 43,5 ГГц; и
                   б) способные одновременно измерять
                   амплитуду и фазу;


 3.1.2.7.          Атомные эталоны частоты:


 3.1.2.7.1.        Пригодные   для   применения     в  8543 20 000 0
                   космосе;


 3.1.2.7.2.        Не     являющиеся      рубидиевыми  8543 20 000 0
                   эталонами и имеющие долговременную
                   стабильность    меньше     (лучше)
                         -11
                   1 x 10    в месяц


                   Особое примечание.
                   В   отношении   атомных   эталонов
                   частоты,   указанных   в    пункте
                   3.1.2.7.2,  см.  также пункт 3.1.1
                   раздела 2;


 3.1.2.7.3.        Рубидиевые   эталоны,  непригодные  8543 20 000 0
                   для применения в космосе и имеющие
                   все нижеследующее:
                   а) долговременную     стабильность
                                         -11
                   меньше (лучше)  1 x 10    в месяц;
                   и
                   б) суммарную потребляемую мощность
                   менее 1 Вт
 (п. 3.1.2.7 в ред. Приказа ФТС РФ от 13.02.2009 N 192)


                   Примечание.   Исключено. -  Приказ   ФТС   РФ   от
                   13.02.2009 N 192


                   Особое примечание. Исключено. - Приказ    ФТС   РФ
                   от 13.02.2009 N 192


 3.1.3.            Терморегулирующие          системы  8419 89 989 0;
                   охлаждения        диспергированной  8424 89 000 9;
                   жидкостью,            использующие  8479 89 970 9
                   оборудование с замкнутым  контуром
                   для    перемещения  и  регенерации
                   жидкости  в  герметичной камере, в
                   которой     жидкий      диэлектрик
                   распыляется     на     электронные
                   компоненты   при помощи специально
                   разработанных распыляющих   сопел,
                   применяемых      для   поддержания
                   температуры            электронных
                   компонентов    в   пределах     их
                   рабочего    диапазона,   а   также
                   специально разработанные  для  них
                   компоненты


 3.2.              Испытательное,   контрольное     и
                   производственное оборудование


 3.2.1.            Нижеперечисленное оборудование для
                   производства     полупроводниковых
                   приборов   или   материалов      и
                   специально           разработанные
                   компоненты и оснастка для них:


 3.2.1.1.          Оборудование  для  эпитаксиального
                   выращивания:


 3.2.1.1.1.        Оборудование,       обеспечивающее  8486 10 000 9
                   производство   слоя    из   любого
                   материала, отличного от кремния, с
                   отклонением  равномерности толщины
                   менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм
                   или более;
 (п. 3.2.1.1.1 в ред. Приказа ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


 3.2.1.1.2.        Установки      (реакторы)      для  8486 20 900 9
                   химического осаждения  из  паровой
                   фазы           металлоорганических
                   соединений,             специально
                   разработанные    для   выращивания
                   кристаллов       полупроводниковых
                   соединений      с   использованием
                   материалов,   контролируемых    по
                   пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве
                   исходных


                   Особое примечание.
                   В     отношении      оборудования,
                   указанного в пункте 3.2.1.1.2, см.
                   также пункт 3.2.1 раздела 2;


 3.2.1.1.3.        Оборудование                   для  8486 10 000 9
                   молекулярно-эпитаксиального
                   выращивания    с    использованием
                   газообразных       или     твердых
                   источников;


 3.2.1.2.          Оборудование, предназначенное  для  8486 20 900 9
                   ионной имплантации, имеющее  любую
                   из следующих характеристик:
                   а) энергию     пучка   (ускоряющее
                   напряжение) более 1 МэВ;
                   б) специально спроектированное   и
                   оптимизированное   для  работы   с
                   энергией    пучка      (ускоряющим
                   напряжением) менее 2 кэВ;
                   в) имеет               возможность
                   непосредственного     формирования
                   рисунка; или
                   г) энергию пучка 65 кэВ  или более
                   и силу тока пучка 45 мА  или более
                   для           высокоэнергетической
                   имплантации  кислорода в  нагретую
                   подложку        полупроводникового
                   материала;


 3.2.1.3.          Оборудование      для       сухого
                   анизотропного          плазменного
                   травления:


 3.2.1.3.1.        Оборудование  с  подачей заготовок  8486 20 900 2;
                   из  кассеты  в  кассету и шлюзовой  8456 90 000 0
                   загрузкой,     имеющее   любую  из
                   следующих характеристик:
                   а) разработанное               или
                   оптимизированное для  производства
                   структур  с  критическим  размером
                   180 нм  или  менее  и погрешностью
                   (3 сигма), равной +/- 5%; или
                   б) разработанное  для  обеспечения
                   чистоты  лучше  0,04  частицы   на
                   кв. см, при этом измеряемый размер
                   частицы более 0,1 мкм в диаметре;


 3.2.1.3.2.        Оборудование,           специально  8486 20 900 2;
                   спроектированное   для     систем,  8456 90 000 0
                   контролируемых  по пункту 3.2.1.5,
                   и  имеющее  любую   из   следующих
                   характеристик:
                   а) разработанное               или
                   оптимизированное  для производства
                   структур  с  критическим  размером
                   180 нм  или  менее  и погрешностью
                   (3 сигма), равной +/- 5%; или
                   б) разработанное для   обеспечения
                   чистоты   лучше   0,04  частицы на
                   кв. см, при этом измеряемый размер
                   частицы более 0,1 мкм в диаметре;


 3.2.1.4.          Оборудование химического осаждения  8486 20 900 9;
                   из  паровой   фазы  с  применением  8419 89 300 0
                   плазменного  разряда,  ускоряющего
                   процесс:


 3.2.1.4.1.        Оборудование с подачей   заготовок
                   из   кассеты  в кассету и шлюзовой
                   загрузкой,     разработанное     в
                   соответствии       с  техническими
                   условиями            производителя
                   или     оптимизированное       для
                   использования   в     производстве
                   полупроводниковых  устройств     с
                   критическим    размером  180    нм
                   или менее;


 3.2.1.4.2.        Оборудование,           специально
                   спроектированное     для   систем,
                   контролируемых  по пункту 3.2.1.5,
                   и  разработанное  в соответствии с
                   техническими             условиями
                   производителя или оптимизированное
                   для использования в   производстве
                   полупроводниковых   устройств    с
                   критическим    размером  180    нм
                   или менее;


 3.2.1.5.          Автоматически          загружаемые  8456 10 00;
                   многокамерные        системы     с  8486 20 900 2;
                   центральной              загрузкой  8456 90 000 0;
                   полупроводниковых          пластин  8486 20 900 3;
                   (подложек), имеющие все  следующие  8479 50 000 0
                   характеристики:
                   а) интерфейсы     для   загрузки и
                   выгрузки   пластин   (подложек), к
                   которым присоединяется более  двух
                   единиц оборудования для  обработки
                   полупроводников; и
                   б) предназначенные             для
                   интегрированной            системы
                   последовательной  многопозиционной
                   обработки  пластин   (подложек)  в
                   вакууме


                   Примечание.
                   По         пункту 3.2.1.5       не
                   контролируются      автоматические
                   робототехнические          системы
                   управления     загрузкой   пластин
                   (подложек), не предназначенные для
                   работы в вакууме;


 3.2.1.6.          Оборудование для литографии:


 3.2.1.6.1.        Оборудование для обработки пластин  8443 39 290 0
                   с    использованием        методов
                   оптической     или   рентгеновской
                   литографии с пошаговым совмещением
                   и экспозицией (непосредственно  на
                   пластине)     или    сканированием
                   (сканер),      имеющее   любое  из
                   следующего:
                   а) источник света с длиной   волны
                   короче 245 нм; или
                   б) возможность        формирования
                   рисунка с минимальным  разрешаемым
                   размером элемента 180 нм и менее


                   Техническое примечание.
                   Минимальный    разрешаемый  размер
                   элемента (МРР) рассчитывается   по
                   следующей формуле:
                   МРР = (длина волны источника света
                   в  нанометрах)    x   (К фактор) /
                   (числовая апертура),
                   где К фактор = 0,45;


 3.2.1.6.2.        Литографическое  оборудование  для  8443 39;
                   печати,     способное    создавать  8486 20 900
                   элементы размером 180 нм или менее
 (п. 3.2.1.6.2 введен Приказом ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


                   Примечание.
                   Пункт 3.2.1.6.2 включает:
                   а) инструментальные  средства  для
                   микроконтактной литографии;
                   б) инструментальные  средства  для
                   горячего тиснения;
                   в)                 литографические
                   инструментальные    средства   для
                   нанопечати;
                   г)                 литографические
                   инструментальные    средства   для
                   поэтапной и мгновенной печати;
 (примечание введено Приказом ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


 3.2.1.6.3.        Оборудование,           специально  8456 10 00;
                   разработанное   для   изготовления  8486 20 900 3;
                   шаблонов     или      производства  8486 40 000 1
                   полупроводниковых  приборов      с
                   использованием             методов
                   непосредственного     формирования
                   рисунка,        имеющее        все
                   нижеследующее:
                   а) использующее        отклоняемый
                   сфокусированный       электронный,
                   ионный или лазерный пучок; и
                   б) имеющее   любую   из  следующих
                   характеристик:
                   размер пятна менее 0,2 мкм;
                   возможность формирования рисунка с
                   размером   элементов  менее 1 мкм;
                   или
                   точность      совмещения     слоев
                   лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);
 (п. 3.2.1.6.3 в ред. Приказа ФТС РФ от 13.02.2009 N 192)


 3.2.1.7.          Маски и промежуточные     шаблоны,  8486 90 900 3
                   разработанные    для  производства
                   интегральных схем,  контролируемых
                   по пункту 3.1.1;


 3.2.1.8.          Многослойные      шаблоны        с  8486 90 900 3
                   фазосдвигающим слоем


                   Примечание.
                   По     пункту      3.2.1.8      не
                   контролируются        многослойные
                   шаблоны       с     фазосдвигающим
                   слоем,      разработанные      для
                   изготовления          запоминающих
                   устройств, не    контролируемых по
                   пункту 3.1.1;


 3.2.1.9.          Литографические    шаблоны     для  8486 90 900 3
                   печати,      разработанные     для
                   интегральных схем,  контролируемых
                   по пункту 3.1.1
 (п. 3.2.1.9 введен Приказом ФТС РФ от 29.05.2008 N 631)


 3.2.2.            Оборудование,           специально
                   разработанное    для     испытания
                   готовых  или  находящихся в разной
                   степени               изготовления
                   полупроводниковых    приборов,   и
                   специально разработанные для этого
                   компоненты и приспособления:


 3.2.2.1.          Для     измерения     S-параметров  9031 80 380 0
                   транзисторных приборов на частотах
                   выше 31,8 ГГц;


 3.2.2.2.          Для       испытания  микроволновых  9030;
                   интегральных  схем, контролируемых  9031 20 000 0;
                   по пункту 3.1.1.2.2                 9031 80 380 0


 3.3.              Материалы


 3.3.1.            Гетероэпитаксиальные     структуры
                   (материалы), состоящие из подложки
                   с    несколькими   последовательно
                   наращенными эпитаксиальными слоями
                   любого из следующих материалов:


 3.3.1.1.          Кремний;                            3818 00 100 0;
                                                       3818 00 900 0


 3.3.1.2.          Германий;                           3818 00 900 0


 3.3.1.3.          Карбид кремния; или                 3818 00 900 0


 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 ... Последняя >>


Полезная информация


Российское законодательство Следующий документ Право России, интернет библиотека

Партнеры

Новости сайта

Авто новости

Недвижимость

Разное

Рейтинг@Mail.ru
Рейтинг@Mail.ru